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3D內(nèi)存來了!單條128G堪比固態(tài)硬盤

2023-05-07 11:49:51來源:中關(guān)村在線  


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NEO半導體公司近日發(fā)布了3D內(nèi)存技術(shù),旨在解決內(nèi)存容量瓶頸并提升容量至與SSD相當。據(jù)該公司透露,其即將于2025年推出第一代3DX-DRAM,該產(chǎn)品擁有230層堆棧和128Gb的核心容量,相較于當前16Gb的2DDRAM內(nèi)存實現(xiàn)了8倍容量的提升,而該公司旨在每10年將3DX-DRAM容量提升8倍,到2035年達到1Tb的核心容量,實現(xiàn)總計64倍的容量提升。

該公司的3DX-DRAM技術(shù)實現(xiàn)了通過堆棧層數(shù)來提高內(nèi)存容量,這類似于閃存芯片中的FBC浮柵極技術(shù),但通過增加一層Mask光罩,就可以形成垂直結(jié)構(gòu),進而大幅提升密度,而良率也相對較高且成本較低。盡管3DX-DRAM技術(shù)存在巨大潛力,然而,由于NEO公司自身沒有晶圓廠,因此其生產(chǎn)還需依托授權(quán)廠商,這可能也是未來3D內(nèi)存普及的一個難點。

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