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近日，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）在VLSI 2023技術(shù)與電路研討會上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公開發(fā)表了技術(shù)論文——《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多層陣列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV）。

該論文的發(fā)表，是西安紫光國芯在SeDRAM?方向上持續(xù)創(chuàng)新的最新突破。據(jù)了解，作為國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會，本年度 VLSI 會議共收到全球投稿 632 篇，在最終錄取的212 篇中，僅有2篇來自中國內(nèi)地企業(yè)，其中1篇便是來自西安高新紫光國芯的嵌入式多層陣列DRAM論文。

本次VLSI 2023上，西安紫光國芯發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM，相較于上一代單層陣列結(jié)構(gòu)，主要采用了低溫混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding，HB）和mini-TSV堆積技術(shù)。該技術(shù)平臺每Gbit由2048個數(shù)據(jù)接口組成，每個接口數(shù)據(jù)速度達(dá)541 Mbps，最終實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的135 GBps/Gbit帶寬和0.66 pJ/bit能效，為疊加更多層DRAM陣列結(jié)構(gòu)提供先進(jìn)有效的解決方案。

論文通訊作者西安紫光國芯總經(jīng)理江喜平表示，“2020年IEDM我們發(fā)布了第一代SeDRAM技術(shù)，之后我們實現(xiàn)了多款產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。這次發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)，實現(xiàn)了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量，可廣泛應(yīng)用于近存計算、大數(shù)據(jù)處理和高性能計算等領(lǐng)域。”

西安紫光國芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM（SeDRAM）基于混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)了邏輯單元和DRAM陣列三維集成，多項研發(fā)成果已先后在IEDM 2020、CICC 2021、ISSCC 2022等多個期刊和會議上公開發(fā)表和作專題報告。

（中國日報陜西記者站）